电子薄膜fang面de创新jin展
日qi:2018-06-07

  (1)利yong液体材liao制成硅薄膜。

  2006年4月6日,日本精gong爱普生公司研fa本bu研究员下田达ye领导de研究小组,在英国《自然》科学za志上fa表研究成guo称,他们使yong液体材liao成gong地制成硅薄膜。使yongzhe种硅薄膜de低温duo晶硅薄膜场效应晶体管de电子迁移聅heng琯ao达108li米2/Vs,实现了和过去利yong化学气相沉积fa形成de薄膜场效应晶体管相同de性能。

  you于使yongdeshi液体材liao,因此该薄膜很大de一个特点,就shi能够利yong涂布fang式形成。不需要真空设备和wu尘操作室等zaojia昂贵de设备。新de薄膜场效应晶体管,就shi利yongxuan镀fang式jin行涂布形成de。

  (2)开fa出chao薄型电磁噪音吸收膜。

  2006年4月,日本住you公司开fa出,面向手机yi及数码相机等小型数字设备de,chao薄电磁噪音吸收膜“chao薄噪音抑制膜”。它可yi吸收在组合模kuaibu件、量chan试制最终信游wang址等阶段fa现de电磁噪音。you于包括粘接剂在内de抑制膜zheng体,厚du控制在0.08毫米,因此适yong于便携式gao性能设备。

  该信游wang址采yong,向chao薄柔软de树脂层zhong,gao密du填chong磁性填chong剂、分层涂覆丙xi酸类粘接剂de结构。可吸收10M~3GHzde大穐eУ绱旁胍簦琤ing将其zhuan化为微小re量,cong而确保liu经柔衴uan缏钒錮e信haochuan输zhi量。

  数字设备正在趋向于设计模kuai化,每个模kuaibu件du要qiu做到包括电磁噪音在内de最优化。然而,当把数个模kuaibu件组合起来成为最终信游wang址时,有时会chan生设计阶段suo预liao不到de电磁噪音等。zhe时就要使yong电磁噪音吸收pian。zhe謟hong滦偷绱旁胍粑誴ian,yichao薄为卖点,预计在chao小、chao薄yi及duogong能和gao性能、gao密du设计de设备领yu,存在很大需qiu。

  (3)开fa出砷化铟二维半导体量子膜。

  2011年1 1月,美国加利fu尼亚大学伯ke利穤honge阿里·杰维领导de研究小组,在《纳米快报》上fa表论文称,他们开fa出一种quan新de二维半导体,zheshi一种you砷化铟制zaode“量子膜”,具有带状结构,只需简单地减小尺寸就能congkuai状三维材liaozhuanbian为二维材liao。

  当半导体材liaode尺寸小到纳米级,它们在电学和guang学fang面de性zhi就会fa生极大改bian,chan生量子xian制效应,you此ren们可yi制zao出被称为量子膜de二维晶体管。量子膜约为10纳米或更少,其运行基本上被xian制在一个二维空jianzhong。you于zhe种du特de性zhi,它们能在gaodu专业化de量子guang学与电子应yong领yu大展suo长。

  目前,二维半导体fang面de研究,大bu分要yong到石墨xi类de材liao。杰维研究小组通过另一种途径,制zao出砷化铟“量子膜”。而且,新量子膜可yi作为一种wu需衬底dedu立材liao,能和ge种衬底结合,而yi往其他同类材liao只能yong于一种衬底。

  他们xian在锑化镓和锑化铝镓衬底上,生长出砷化铟,把它置于顶层,bing设计成任he想要de样子,然后将底层腐shi掉,把sheng下de砷化铟层移到任he需要de衬底上,制成最终信游wang址。